缓蚀阻垢剂的原理

      阻垢剂在水中有一定的有效期，随着时间的推移，阻垢剂的一些成分会发生水解、分解或其它化学作用，降低阻垢剂的作用，因此随着补充水，要加入阻垢剂，便是维护水中有效物浓度。

      阻垢剂：凡能控制产生泥垢和水垢的药剂称之为阻垢剂。 阻垢机理：阻垢剂的官能团对水垢成分，阳离子具有螯合力，封锁阳离子，抑制其与阴离子的反应而防止结垢，同时，阻垢剂对晶核和晶 体的活性点有特殊吸附能力，抑制其生长，故只需投加较低浓度就能显示出效果。阻垢剂的这种化学计算当量作用，称为低限效应。

     无机垢的形成过程可分为下面3个步骤：

● 形成过饱和溶液

● 生成晶核；

● 晶核成长，形成晶体。

       这3个步骤中有一个遭到破坏，结垢过程即被减缓或抑制。阻垢剂的作用就是有效阻止这些步骤中的一个或几个，以达到阻垢目的。阻垢剂干扰晶体生长的机理有如下几种说法：

1．螯合增溶作用

螯合增溶作用是指阻垢剂与水中Ca2＋、Mg2＋、Sr2＋、Ba2＋等高价金属离子络合成稳定的水溶性螯合物，使水中游离态钙、镁离子的浓度相应降低，这样就好像使CaCO3等物质的溶解度增大了，本来会析出溶液的CaCO3等物质实际上没有形成沉淀。

所谓阈限效应阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢剂，就能稳定溶液中大量的结垢离子，它们之间不存在严格的化学计量关系，当阻垢剂的量增至过大时，其稳定阻垢作用并无明显改进。

2．晶格畸变作用

晶体正常形成的过程是微粒子（离子、原子或分子）根据特定的晶格方式进行十分有规则的排列，从而形成外形规则、熔点固定、致密坚固的物质结构。所谓晶格畸变是指在晶体生长的过程中，常常会由于晶体外界的一些原因，而使得晶体存在空位、错位等缺陷或形成镶嵌构造等畸变，其结果使同一晶体的各个晶面发育不等。晶体中这种局部组分的差异会导致晶体内部的应力，晶体本身与镶嵌物质膨胀系数的不同也会导致应力。这些应力使晶体不稳定。当环境发生某些变化时，大晶体便会碎裂成小晶体。

阻垢剂分子由于吸附在位于晶体活性生长点的晶格点阵上，使晶体不能按照晶格排列正常生长，使晶体发生畸变，使晶体的内部应力增大导致晶体破裂，从而防止微晶沉积成垢，达到阻垢目的。

3．吸附与分散作用

阻垢分散剂属于阴离子有机化合物，可因物理化学吸附作用而吸附于胶体颗粒及微晶粒子上，在颗粒表面形成新的双电层，改变颗粒表面原来的电荷状况。于是，因同性电荷相排斥而使它们稳定地分散在水体中。